文献
J-GLOBAL ID:202002274529425778
整理番号:20A2257665
h-BN基板上のグラフェン/SドープInSeヘテロ構造に基づく新規オプトエレクトロニクス性能を有する可視近赤外光検出器【JST・京大機械翻訳】
Visible to near-infrared photodetector with novel optoelectronic performance based on graphene/S-doped InSe heterostructure on h-BN substrate
著者 (8件):
Hao Qiaoyan
(International Collaborative Laboratory of 2D Materials for Optoelectronics Science and Technology, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China. wjzhang@szu.edu.cn)
,
Liu Jidong
,
Dong Weilong
,
Yi Huan
,
Ke Yuxuan
,
Tang Sisi
,
Qi Dianyu
,
Zhang Wenjing
資料名:
Nanoscale
(Nanoscale)
巻:
12
号:
37
ページ:
19259-19266
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2323A
ISSN:
2040-3364
CODEN:
NANOHL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)