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文献
J-GLOBAL ID：202002275145628874
整理番号：20A1073973
絶縁ゲートバイポーラトランジスタモジュールのための熱結合を含む三次元熱モデル【JST・京大機械翻訳】
A 3-D Thermal Model including thermal coupling for Insulated Gate Bipolar Transistor Module
Li Wenhao
(Shanghai Jiao Tong University,School of Material Science and Engineering,Shanghai,China)
,
Xue Jianrui
(Shanghai Jiao Tong University,School of Material Science and Engineering,Shanghai,China)
,
Li Ming
(Shanghai Jiao Tong University,School of Material Science and Engineering,Shanghai,China)
,
Gao Liming
(Shanghai Jiao Tong University,School of Material Science and Engineering,Shanghai,China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： ICEPT ページ： 1-4 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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