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文献
J-GLOBAL ID：202002275346149378
整理番号：20A2763548
GaN-HEMTの電気特性に及ぼす電界板誘電体の膜応力の影響【JST・京大機械翻訳】
Impact of Film Stress of Field-Plate Dielectric on Electric Characteristics of GaN-HEMTs
Ando Yuji
(Department of Electronics, Nagoya University, Nagoya, Japan)
,
Takahashi Hidemasa
(Department of Electronics, Nagoya University, Nagoya, Japan)
,
Ma Qiang
(Graduate School of Engineering, Tsukuri College, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Wakejima Akio
(Graduate School of Engineering, Tsukuri College, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Suda Jun
(Department of Electronics, Nagoya University, Nagoya, Japan)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67 号： 12 ページ： 5421-5426 発行年： 2020年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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