文献
J-GLOBAL ID:202002275851845972
整理番号:20A0495727
走査型非線形誘電顕微鏡に基づくSi/SiC MOSFETの同時2Dキャリア極性(DC/DC)と密度(DC/DC)分布測定【JST・京大機械翻訳】
Simultaneous 2D carrier polarity (dC/dV) and density (dC/dz) distribution measurement of Si/SiC MOSFET based on scanning nonlinear dielectric microscopy
著者 (7件):
Yamaoka T.
(Hitachi High-Technologies Corporation,Application Development Dept,Takatsu-ku, Kawasaki-shi,Japan,213-0012)
,
Aiso T.
(Hitachi High-Technologies Corporation,Application Development Dept,Takatsu-ku, Kawasaki-shi,Japan,213-0012)
,
Watanabe K.
(Hitachi High-Tech Science Corporation,Design Dept,Oyama-cho, Sunto-gun,Japan,410-1313)
,
Shikakura Y.
(Hitachi High-Tech Science Corporation,Design Dept,Oyama-cho, Sunto-gun,Japan,410-1313)
,
Ueno T.
(Hitachi High-Tech Science Corporation,Design Dept,Oyama-cho, Sunto-gun,Japan,410-1313)
,
Tamura K.
(Hitachi High-Technologies Corporation,Marketing Dept,NishiShimbashi, Tokyo,Japan,227-0033)
,
Mizuguchi K.
(Hitachi High-Technologies Corporation,Marketing Dept,NishiShimbashi, Tokyo,Japan,227-0033)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
IPFA
ページ:
1-5
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)