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文献
J-GLOBAL ID：202002276228037676
整理番号：20A1235483
Al中間層媒介によるSi(001)上の均一で均質な三元NiSi2-xAlxの形成
Formation of uniform and homogeneous ternary NiSi2-xAlx on Si(001) by an Al interlayer mediation
Yong Kai
(School of Mathematics, Physics and Statistics, Shanghai University of Engineering Science, Shanghai 201600, People’s Republic of China)
,
Yong Kai
(State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, People’s Republic of China)
,
Ping Yunxia
(School of Mathematics, Physics and Statistics, Shanghai University of Engineering Science, Shanghai 201600, People’s Republic of China)
,
Liu Wei
(School of Mathematics, Physics and Statistics, Shanghai University of Engineering Science, Shanghai 201600, People’s Republic of China)
,
Liu Wei
(State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, People’s Republic of China)
,
Yang Jun
(School of Mathematics, Physics and Statistics, Shanghai University of Engineering Science, Shanghai 201600, People’s Republic of China)
,
Yang Jun
(State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, People’s Republic of China)
,
Yu Wenjie
(State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, People’s Republic of China)
,
Xue Zhongying
(State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, People’s Republic of China)
,
Wei Xing
(State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, People’s Republic of China)
,
Wu Aimin
(State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, People’s Republic of China)
,
Zhang Bo
(State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, People’s Republic of China)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 13 号： 1 ページ： 015505 (4pp) 発行年： 2020年01月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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