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文献
J-GLOBAL ID：202002276331638241
整理番号：20A1010929
カプセル封じ応用のための低温での熱プラズマ原子層蒸着プロセスにより作製したAl_2O_3薄膜【JST・京大機械翻訳】
Al2O3 Thin Films Prepared by a Combined Thermal-Plasma Atomic Layer Deposition Process at Low Temperature for Encapsulation Applications
Zhu Zhen
(Beneq Oy, Olarinluoma 9, Espoo, 02200, Finland)
,
Zhu Zhen
(Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Tietotie 3, Espoo, 02150, Finland)
,
Merdes Saoussen
(Beneq Oy, Olarinluoma 9, Espoo, 02200, Finland)
,
Ylivaara Oili M. E.
(VTT Technical Research Centre of Finland Ltd., P.O. Box 1000, Espoo, 02044, Finland)
,
Mizohata Kenichiro
(Physics Department, University of Helsinki, Gustaf Haellstromin katu 2, Helsinki, 00560, Finland)
,
Heikkilae Mikko J.
(Department of Chemistry, University of Helsinki, A.I. Virtasen aukio 1, Helsinki, 00560, Finland)
,
Savin Hele
(Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Tietotie 3, Espoo, 02150, Finland)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 217 号： 8 ページ： e1900237 発行年： 2020年
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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