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J-GLOBAL ID:202002276350021915   整理番号:20A1953430

垂直VO_2ナノワイヤアレイの低温ウエハスケール作製【JST・京大機械翻訳】

Low-temperature wafer-scale fabrication of vertical VO2 nanowire arrays
著者 (11件):
Shi Run
(Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, People’s Republic of China)
Kong Dejun
(Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, People’s Republic of China)
Shen Nan
(Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, People’s Republic of China)
Gan Yichen
(Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, People’s Republic of China)
Zhao Yaxuan
(Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, People’s Republic of China)
Wang Zixu
(Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, People’s Republic of China)
Wang Weijun
(Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, People’s Republic of China)
Wang Jingwei
(Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, People’s Republic of China)
Amini Abbas
(Center for Infrastructure Engineering, Western Sydney University, Kingswood, NSW 2751, Australia)
Wang Ning
(Department of Physics and Center for Quantum Materials, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong, People’s Republic of China)
Cheng Chun
(Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, People’s Republic of China)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 117  号:ページ: 083108-083108-5  発行年: 2020年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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