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文献
J-GLOBAL ID：202002276727527013
整理番号：20A0579848
圧力および不純物効果下の歪んだInN/GaNヘテロ界面における二次元電子ガスモデリング【JST・京大機械翻訳】
Two-dimensional electron gas modeling in strained InN/GaN hetero-interface under pressure and impurity effects
El Ghazi H.
(ENSAM Laboratory, ENSAM, Hassan II University, Casablanca, Morocco)
,
El Ghazi H.
(Faculty of Sciences Dhar El Mehrez, Mohammed Ben Abdellah University, Fes, Morocco)
,
En-nadir R.
(Faculty of Sciences Dhar El Mehrez, Mohammed Ben Abdellah University, Fes, Morocco)
,
Abboudi H.
(Faculty of Sciences Dhar El Mehrez, Mohammed Ben Abdellah University, Fes, Morocco)
,
Jabouti F.
(Faculty of Sciences Dhar El Mehrez, Mohammed Ben Abdellah University, Fes, Morocco)
,
Jorio A.
(Faculty of Sciences Dhar El Mehrez, Mohammed Ben Abdellah University, Fes, Morocco)
,
Zorkani I.
(Faculty of Sciences Dhar El Mehrez, Mohammed Ben Abdellah University, Fes, Morocco)
資料名：
Physica B. Condensed Matter
(Physica B. Condensed Matter)
巻： 582 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： H0676B ISSN： 0921-4526 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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