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文献
J-GLOBAL ID：202002276950053086
整理番号：20A1260610
サファイア基板上にエピタキシャル成長させた多層WS_2/MOS_2ヘテロ構造における内部場【JST・京大機械翻訳】
Internal Fields in Multilayer WS2/MoS2 Heterostructures Epitaxially Grown on Sapphire Substrates
Kim Bora
(Department of Physics, Ewha Womans University, Seoul, 03760, Korea)
,
Kim Jayeong
(Department of Physics, Ewha Womans University, Seoul, 03760, Korea)
,
Tsai Po-Cheng
(Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, 10617, Taiwan)
,
Tsai Po-Cheng
(Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taipei, 11529, Taiwan)
,
Kwon Soyeong
(Department of Physics, Ewha Womans University, Seoul, 03760, Korea)
,
Kim Eunah
(Department of Physics, Ewha Womans University, Seoul, 03760, Korea)
,
Yoon Seokhyun
(Department of Physics, Ewha Womans University, Seoul, 03760, Korea)
,
Lin Shih-Yen
(Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, 10617, Taiwan)
,
Lin Shih-Yen
(Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taipei, 11529, Taiwan)
,
Kim Dong-Wook
(Department of Physics, Ewha Womans University, Seoul, 03760, Korea)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 217 号： 10 ページ： e2000033 発行年： 2020年
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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