文献
J-GLOBAL ID:202002277991973120
整理番号:20A0076326
絶縁破壊電圧とオン抵抗を制御するための横方向二重拡散MOSFETの新しい構造【JST・京大機械翻訳】
A New Structure for Lateral Double Diffused MOSFET to Control the Breakdown Voltage and the On-Resistance
著者 (1件):
Zareiee Meysam
(School of Engineering, Damghan University, Damghan, Iran)
資料名:
Silicon
(Silicon)
巻:
11
号:
6
ページ:
3011-3019
発行年:
2019年
JST資料番号:
W4947A
ISSN:
1876-9918
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)