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文献
J-GLOBAL ID：202002278113933565
整理番号：20A0398765
神経形態システム製造のためのナノ結晶TiO_2薄膜における抵抗スイッチング効果の研究【JST・京大機械翻訳】
Investigation of resistive switching effect in nanocrystalline TiO2 thin film for neuromorphic system manufacturing
Dukhan D D
(Institute of Nanotechnologies, Electronics and Equipment Engineering, Southern Federal University, Taganrog, 347928, Russia)
,
Tominov R V
(Institute of Nanotechnologies, Electronics and Equipment Engineering, Southern Federal University, Taganrog, 347928, Russia)
,
Avilov V I
(Institute of Nanotechnologies, Electronics and Equipment Engineering, Southern Federal University, Taganrog, 347928, Russia)
,
Zamburg E G
(Department of Electrical & Computer Engineering, National University of Singapore, 117582, Singapore)
,
Smirnov V A
(Institute of Nanotechnologies, Electronics and Equipment Engineering, Southern Federal University, Taganrog, 347928, Russia)
,
Ageev O A
(Institute of Nanotechnologies, Electronics and Equipment Engineering, Southern Federal University, Taganrog, 347928, Russia)
資料名：
Journal of Physics: Conference Series
(Journal of Physics: Conference Series)
巻： 1400 号： 5 ページ： 055032 (4pp) 発行年： 2019年
JST資料番号： W5565A ISSN： 1742-6588 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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