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文献
J-GLOBAL ID：202002278513868423
整理番号：20A0787167
水素化物気相エピタクシーにより異なる条件下で成長させたGaAs太陽電池の評価【JST・京大機械翻訳】
Evaluation of GaAs solar cells grown under different conditions via hydride vapor phase epitaxy
Oshima Ryuji
(Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Shoji Yasushi
(Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Makita Kikuo
(Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Ubukata Akinori
(Taiyo Nippon Sanso Corporation, Ibaraki 300-2611, Japan)
,
Sugaya Takeyoshi
(Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 537 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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