文献
J-GLOBAL ID:202002278535231775
整理番号:20A2648262
不揮発性メモリ技術のための新しい垂直MOSトランジスタに関するACストレス信頼性研究【JST・京大機械翻訳】
AC stress reliability study on a novel vertical MOS transistor for non-volatile memory technology
著者 (8件):
Locati J.
(STMicroelectronics, 190 avenue Celestin Coq, 13106 Rousset, France)
,
Locati J.
(Aix-Marseille University, CNRS, IM2NP UMR 7334-F, 13997 Marseille, France)
,
Della Marca V.
(Aix-Marseille University, CNRS, IM2NP UMR 7334-F, 13997 Marseille, France)
,
Rivero C.
(STMicroelectronics, 190 avenue Celestin Coq, 13106 Rousset, France)
,
Fornara P.
(STMicroelectronics, 190 avenue Celestin Coq, 13106 Rousset, France)
,
Regnier A.
(STMicroelectronics, 190 avenue Celestin Coq, 13106 Rousset, France)
,
Niel S.
(STMicroelectronics, 190 avenue Celestin Coq, 13106 Rousset, France)
,
Coulie K.
(Aix-Marseille University, CNRS, IM2NP UMR 7334-F, 13997 Marseille, France)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
114
ページ:
Null
発行年:
2020年
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)