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文献
J-GLOBAL ID：202002278751011817
整理番号：20A2501871
長波長領域におけるInGaNナノワイヤからの光応答改善における欠陥飽和の役割【JST・京大機械翻訳】
Role of defect saturation in improving optical response from InGaN nanowires in higher wavelength regime
Nag Dhiman
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India)
,
Sarkar Ritam
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India)
,
Bhunia Swagata
(Department of Physics, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India)
,
Aggarwal Tarni
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India)
,
Ghosh Kankat
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Jammu, Jammu 181221, India)
,
Sinha Shreekant
(Department of Photonics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan)
,
Ganguly Swaroop
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India)
,
Saha Dipankar
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India)
,
Horng Ray-Hua
(Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan)
,
Laha Apurba
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India)
資料名：
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻： 31 号： 49 ページ： 495705 (9pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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