文献
J-GLOBAL ID:202002279259767906
整理番号:20A2031577
多層MoS_2およびMoSe_2電界効果トランジスタにおける1/f雑音の実験およびモデリング研究【JST・京大機械翻訳】
Experimental and modeling study of 1/f noise in multilayer MoS2 and MoSe2 field-effect transistors
著者 (5件):
Kwon Jiseok
(School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA)
,
Delker Collin J.
(Center for Integrated Nanotechnologies, Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA)
,
Thomas Harris C.
(Center for Integrated Nanotechnologies, Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA)
,
Das Suprem R.
(Department of Industrial and Manufacturing Systems Engineering, Kansas State University, Manhattan, Kansas 66506, USA)
,
Janes David B.
(School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
128
号:
9
ページ:
094501-094501-9
発行年:
2020年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)