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文献
J-GLOBAL ID：202002279317614040
整理番号：20A2392377
注入とアニーリングによる4H-SiCの結晶反りと膨潤の間の相関【JST・京大機械翻訳】
Correlation between crystal warpage and swelling of 4H-SiC through implantation and annealing
Ishiji Kotaro
(Kyushu Synchrotron Light Research Center, 8-7 Yayoigaoka, Tosu, Saga 841-0005, Japan)
,
Sato Kiichi
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan)
,
Fujii Takashi
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan)
,
Araki Tsutomu
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan)
,
Mouri Shinichiro
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan)
,
Sugie Ryuichi
(Toray Research Center, Inc., 3-3-7 Sonoyama, Otsu, Shiga 520-8567, Japan)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 35 号： 10 ページ： 105008 (7pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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