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文献
J-GLOBAL ID：202002279562608450
整理番号：20A0420442
原子置換により合成したSiC/Si基板上に成長させたAlN膜の強度と構造特性【JST・京大機械翻訳】
Strength and structural properties of AlN films grown on SiC/Si substrates synthesized by atomic substitution
Grashchenko A.S.
(Institute for Problems in Mechanical Engineering RAS, Saint Petersburg, 199178, Russia)
,
Kukushkin S.A.
(ITMO University, Saint Petersburg, 197101, Russia)
,
Osipov A.V.
(Institute for Problems in Mechanical Engineering RAS, Saint Petersburg, 199178, Russia)
資料名：
Journal of Physics: Conference Series
(Journal of Physics: Conference Series)
巻： 1410 号： 1 ページ： 012244 (4pp) 発行年： 2019年
JST資料番号： W5565A ISSN： 1742-6588 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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