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J-GLOBAL ID:202002280331762682   整理番号:20A0522415

室温テラヘルツ光検出のためのMOS_2の欠陥工学【JST・京大機械翻訳】

Defect Engineering of MoS2 for Room-Temperature Terahertz Photodetection
著者 (9件):
Xie Ying
(State Key Laboratory of Crystal Materials and Institute of Crystal Materials, Shandong University, China)
Liang Fei
(State Key Laboratory of Crystal Materials and Institute of Crystal Materials, Shandong University, China)
Chi Shumeng
(State Key Laboratory of Crystal Materials and Institute of Crystal Materials, Shandong University, China)
Wang Dong
(School of Physics, Shandong University, China)
Zhong Kai
(Key Laboratory of Opto-electronics Information Technology (Ministry of Education), Tianjin University, China)
Yu Haohai
(State Key Laboratory of Crystal Materials and Institute of Crystal Materials, Shandong University, China)
Zhang Huaijin
(State Key Laboratory of Crystal Materials and Institute of Crystal Materials, Shandong University, China)
Chen Yanxue
(School of Physics, Shandong University, China)
Wang Jiyang
(State Key Laboratory of Crystal Materials and Institute of Crystal Materials, Shandong University, China)

資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)

巻: 12  号:ページ: 7351-7357  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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