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文献
J-GLOBAL ID：202002280701520134
整理番号：20A1629892
sp=2-炭素の比の増加による4H-SiC Ohm接触の比接触抵抗を改善する方法【JST・京大機械翻訳】
A method to improve the specific contact resistance of 4H-SiC Ohmic contact through increasing the ratio of sp2-carbon
Liu Shaoyu
(The State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Cheng Xinhong
(The State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Pan Ruiyan
(Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York 12180-3590, USA)
,
Liu Xiaobo
(The State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Zheng Li
(The State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Yu Yuehui
(The State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 117 号： 2 ページ： 023503-023503-4 発行年： 2020年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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