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J-GLOBAL ID：202002280802904609 整理番号：20A2247214

窒化けい素の低周波数プラズマ増強化学蒸着を用いた一段階ドライプロセスによるGaAs表面不動態化の機構【JST・京大機械翻訳】

Mechanisms of GaAs surface passivation by a one-step dry process using low-frequency plasma enhanced chemical deposition of silicon nitride

著者 (5件)：

Richard Olivier

(Laboratoire Nanotechnologies Nanosystemes (LN2) - CNRS UMI-3463 Institut Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT), Universite de Sherbrooke, 3000 Boulevard Universite, Sherbrooke J1K OA5 Quebec, Canada)

Blais Sonia

(Centre de Caracterisation des Materiaux (CCM), Universite de Sherbrooke, 2500 Boulevard de l’Universite, Sherbrooke, J1K 2R1 Quebec, Canada)

Ares Richard

Aimez Vincent

Jaouad Abdelatif

資料名：

Microelectronic Engineering (Microelectronic Engineering)

巻： 233 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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