文献
J-GLOBAL ID:202002281044156675
整理番号:20A0911111
メモリ周辺FinFETのBias温度不安定性に及ぼすフィン高さの影響【JST・京大機械翻訳】
Impact of Fin Height on Bias Temperature Instability of Memory Periphery FinFETs
著者 (15件):
Boubaaya M.
(Imec, Leuven, Belgium; CDTA, Algiers, Algeria; UFAS1, Setif, Algeria)
,
Benaceur-Doumaz D.
(CDTA, Algiers, Algeria)
,
Ferhat Hamida A.
(UFAS1, Setif, Algeria)
,
Djezzar B.
(CDTA, Algiers, Algeria)
,
Spessot A.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Linten D.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Horiguchi N.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
O’Sullivan B. J.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Franco J.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Litta E. D.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Ritzenthaler R.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Dupuy E.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Machkaoutsan V.
(Micron, Leuven, Belgium)
,
Fazan P.
(Micron, Leuven, Belgium)
,
Kim C.
(SK Hynix, Leuven, Belgium)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
IIRW
ページ:
1-5
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)