文献
J-GLOBAL ID:202002282341825012
整理番号:20A2553340
接合温度推定のためのSiC MOSFET TSEP曲線の回路内シュートスルーベース特性評価【JST・京大機械翻訳】
In-circuit Shoot-through-based Characterization of SiC MOSFET TSEP Curves for Junction Temperature Estimation
著者 (3件):
Soldati Alessandro
(University of Parma,Dept. of Engineering and Architecture,Parma,Italy)
,
Menozzi Roberto
(University of Parma,Dept. of Engineering and Architecture,Parma,Italy)
,
Concari Carlo
(University of Parma,Dept. of Engineering and Architecture,Parma,Italy)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
ECCE
ページ:
2850-2857
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)