文献
J-GLOBAL ID:202002282998234025
整理番号:20A2617710
メモリスタティブ相補型抵抗スイッチによるセンシング:モデリングとシミュレーション【JST・京大機械翻訳】
Sensing with Memristive Complementary Resistive Switch: Modelling and Simulations
著者 (8件):
Gupta Vishal
(University of Rome “Tor Vergata”,Electronic Engineering,Italy)
,
Pellegrini Danilo
(University of Rome “Tor Vergata”,Electronic Engineering,Italy)
,
Khandelwal Saurabh
(Oxford Brookes University,School of ECM,UK)
,
Jabir Abusaleh
(Oxford Brookes University,School of ECM,UK)
,
Kvatinsky Shahar
(Technion - Israel Institute of Technology,Haifa,Israel)
,
Martinelli Eugenio
(University of Rome “Tor Vergata”,Electronic Engineering,Italy)
,
Di Natale Corrado
(University of Rome “Tor Vergata”,Electronic Engineering,Italy)
,
Ottavi Marco
(University of Rome “Tor Vergata”,Electronic Engineering,Italy)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
DFT
ページ:
1-6
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)