文献
J-GLOBAL ID:202002283043854143
整理番号:20A2261934
積層GeナノシートGAAFETの作製と歪効果測定【JST・京大機械翻訳】
Stacked Ge Nanosheet GAAFETs Fabrication and Strain Effects Measurement
著者 (7件):
Chu Chun-Lin
(Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,NARL,Taiwan)
,
Luo Guang-Li
(Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,NARL,Taiwan)
,
Wu Kehuey
(Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,NARL,Taiwan)
,
Chen Shih-Hong
(Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,NARL,Taiwan)
,
Chen Bo-Yuan
(Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,NARL,Taiwan)
,
Wu Wen-Fa
(Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,NARL,Taiwan)
,
Yeh Wen-Kuan
(Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,NARL,Taiwan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
VLSI-TSA
ページ:
128-129
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)