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J-GLOBAL ID:202002283080823580   整理番号:20A0388401

トップ電極により変調されたSnO_2ミクロスフェア膜の整流抵抗スイッチング挙動【JST・京大機械翻訳】

Rectifying resistance switching behaviors of SnO2 microsphere films modulated by top electrodes
著者 (8件):
Yuan Rongchun
(College of Physical Science and Technology, Yangzhou University, Yangzhou, 225002, China)
Xia Weiwei
(College of Physical Science and Technology, Yangzhou University, Yangzhou, 225002, China)
Xu Mengxue
(College of Physical Science and Technology, Yangzhou University, Yangzhou, 225002, China)
Miao Zhilei
(College of Physical Science and Technology, Yangzhou University, Yangzhou, 225002, China)
Wu Shudong
(College of Physical Science and Technology, Yangzhou University, Yangzhou, 225002, China)
Zhang Xiuyun
(College of Physical Science and Technology, Yangzhou University, Yangzhou, 225002, China)
He Junhui
(College of Physical Science and Technology, Yangzhou University, Yangzhou, 225002, China)
Wang Qiang
(College of Physical Science and Technology, Yangzhou University, Yangzhou, 225002, China)

資料名:
Current Applied Physics  (Current Applied Physics)

巻: 20  号:ページ: 431-437  発行年: 2020年 
JST資料番号: W1579A  ISSN: 1567-1739  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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