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文献
J-GLOBAL ID：202002283080823580
整理番号：20A0388401
トップ電極により変調されたSnO_2ミクロスフェア膜の整流抵抗スイッチング挙動【JST・京大機械翻訳】
Rectifying resistance switching behaviors of SnO2 microsphere films modulated by top electrodes
Yuan Rongchun
(College of Physical Science and Technology, Yangzhou University, Yangzhou, 225002, China)
,
Xia Weiwei
(College of Physical Science and Technology, Yangzhou University, Yangzhou, 225002, China)
,
Xu Mengxue
(College of Physical Science and Technology, Yangzhou University, Yangzhou, 225002, China)
,
Miao Zhilei
(College of Physical Science and Technology, Yangzhou University, Yangzhou, 225002, China)
,
Wu Shudong
(College of Physical Science and Technology, Yangzhou University, Yangzhou, 225002, China)
,
Zhang Xiuyun
(College of Physical Science and Technology, Yangzhou University, Yangzhou, 225002, China)
,
He Junhui
(College of Physical Science and Technology, Yangzhou University, Yangzhou, 225002, China)
,
Wang Qiang
(College of Physical Science and Technology, Yangzhou University, Yangzhou, 225002, China)
資料名：
Current Applied Physics
(Current Applied Physics)
巻： 20 号： 3 ページ： 431-437 発行年： 2020年
JST資料番号： W1579A ISSN： 1567-1739 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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