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文献
J-GLOBAL ID：202002283084444867
整理番号：20A0488017
架橋粒子線の異方性伝導率を利用したソース/ドレインドーピングのない高性能多結晶シリコン薄膜トランジスタ【JST・京大機械翻訳】
High-Performance Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors without Source/Drain Doping by Utilizing Anisotropic Conductivity of Bridged-Grain Lines
Zhang Meng
(Institute of Microscale Optoelectronics (IMO), Shenzhen University, Shenzhen, 518060, P. R. China)
,
Lin Haotao
(Institute of Microscale Optoelectronics (IMO), Shenzhen University, Shenzhen, 518060, P. R. China)
,
Deng Sunbin
(State Key Laboratory of Advanced Displays and Optoelectronics Technologies, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong SAR, 999077, P. R. China)
,
Chen Rongsheng
(School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, P. R. China)
,
Li Guijun
(College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, P. R. China)
,
Han Su-Ting
(Institute of Microscale Optoelectronics (IMO), Shenzhen University, Shenzhen, 518060, P. R. China)
,
Zhou Ye
(Institute for Advanced Study, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, P. R. China)
,
Yan Yan
(Institute of Microscale Optoelectronics (IMO), Shenzhen University, Shenzhen, 518060, P. R. China)
,
Zhou Wei
(Meridian Innovation Limited, Hong Kong Science Park, Hong Kong SAR, 999077, P. R. China)
,
Wong Man
(State Key Laboratory of Advanced Displays and Optoelectronics Technologies, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong SAR, 999077, P. R. China)
,
Kwok Hoi-Sing
(State Key Laboratory of Advanced Displays and Optoelectronics Technologies, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong SAR, 999077, P. R. China)
資料名：
Advanced Electronic Materials
(Advanced Electronic Materials)
巻： 6 号： 2 ページ： e1900961 発行年： 2020年
JST資料番号： W2482A ISSN： 2199-160X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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