文献
J-GLOBAL ID:202002283783600249
整理番号:20A0191202
バックゲート制御を用いた信頼性の高い高性能非対称FinFET SRAMセル【JST・京大機械翻訳】
Reliable and high performance asymmetric FinFET SRAM cell using back-gate control
著者 (2件):
Niaraki Asli Rahebeh
(Engineering Faculty, University of Guilan, 41996-13769 Rasht, Iran)
,
Taghipour Shiva
(School of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran, 14399-57131 Tehran, Iran)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
104
ページ:
Null
発行年:
2020年
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)