文献
J-GLOBAL ID:202002283854930230
整理番号:20A1086093
多準位相変化メモリのためのK_2Sb_8Se_13におけるポリモルフィズム【JST・京大機械翻訳】
Polyamorphism in K2Sb8Se13 for multi-level phase-change memory
著者 (10件):
Xu Meng
(Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China. mxu@hust.edu.cn)
,
Qiao Chong
,
Xue Kan-Hao
,
Tong Hao
,
Cheng Xiaomin
,
Wang Songyou
,
Wang Cai-Zhuang
,
Ho Kai-Ming
,
Xu Ming
,
Miao Xiangshui
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
8
号:
19
ページ:
6364-6369
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)