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文献
J-GLOBAL ID：202002284063524603
整理番号：20A2245523
グラフェンとAs_2S_3のVan der Waalsヘテロ構造:垂直歪によるSchottky障壁高さの調整【JST・京大機械翻訳】
Van der Waals heterostructure of graphene and As2S3: Tuning the Schottky barrier height by vertical strain
Liu Xuefei
(Key Laboratory of Low Dimensional Condensed Matter Physics of Higher Educational Institution of Guizhou Province, Guizhou Normal University, Guiyang 550025, China)
,
Lv Bing
(Key Laboratory of Low Dimensional Condensed Matter Physics of Higher Educational Institution of Guizhou Province, Guizhou Normal University, Guiyang 550025, China)
,
Ding Zhao
(College of Big Data and Information Engineering, Guizhou University, Guiyang 550025, China)
,
Luo Zijiang
(College of Information, Guizhou University of Finance and Economics, Guiyang 550025, China)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 549 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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