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文献
J-GLOBAL ID：202002284088283943
整理番号：20A1900399
Si基板上のSiC/Si基板およびInGaNナノ構造上のGaN NWsのMBE合成および特性【JST・京大機械翻訳】
MBE synthesis and properties of GaN NWs on SiC/Si substrate and InGaN nanostructures on Si substrate
Reznik R R
(Alferov University, Khlopina 8/3, 194021, St-Petersburg, Russia)
,
Reznik R R
(ITMO University, Kronverkskiy pr. 49, 197101, St-Petersburg, Russia)
,
Reznik R R
(Institute for Analytical Instrumentation RAS, Rizhsky 26, 190103, St-Petersburg, Russia)
,
Reznik R R
(St Petersburg University, Universitetskaya Emb. 13B, 199034, St-Petersburg, Russia)
,
Kotlyar K P
(Alferov University, Khlopina 8/3, 194021, St-Petersburg, Russia)
,
Khrebtov A I
(ITMO University, Kronverkskiy pr. 49, 197101, St-Petersburg, Russia)
,
Kukushkin S A
(Institute of Problems of Mechanical Engineering Russian Academy of Science, Bolshoj 6, 199178, St. Petersburg, Russia)
,
Kryzhanovskaya N V
(Alferov University, Khlopina 8/3, 194021, St-Petersburg, Russia)
,
Cirlin G E
(Alferov University, Khlopina 8/3, 194021, St-Petersburg, Russia)
,
Cirlin G E
(ITMO University, Kronverkskiy pr. 49, 197101, St-Petersburg, Russia)
,
Cirlin G E
(Institute for Analytical Instrumentation RAS, Rizhsky 26, 190103, St-Petersburg, Russia)
資料名：
Journal of Physics: Conference Series
(Journal of Physics: Conference Series)
巻： 1537 号： 1 ページ： 012003 (5pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： W5565A ISSN： 1742-6588 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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