文献
J-GLOBAL ID:202002284290879926
整理番号:20A2443273
強誘電体LパターンゲートデュアルトンネルダイオードTFETにおける電気特性の研究【JST・京大機械翻訳】
Investigation of Electrical Characteristics in a Ferroelectric L-Patterned Gate Dual Tunnel Diode TFET
著者 (2件):
Ghosh Puja
(Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Silchar, Silchar, India)
,
Bhowmick Brinda
(Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Silchar, Silchar, India)
資料名:
IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control
(IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control)
巻:
67
号:
11
ページ:
2440-2444
発行年:
2020年
JST資料番号:
H0369A
ISSN:
0885-3010
CODEN:
ITUCER
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)