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文献
J-GLOBAL ID：202002285036468671
整理番号：20A0829417
RC MOSFETにおけるデバイス性能改善のための異なるゲート材料の研究【JST・京大機械翻訳】
Investigation of Different Gate Materials for Improved Device Performance in RC MOSFET
Kumar Ajay
(Delhi Technological University,Electrical Engineering Department,Delhi,India)
,
Tripathi M. M.
(Delhi Technological University,Electrical Engineering Department,Delhi,India)
,
Chaujar Rishu
(Delhi Technological University,Applied Physics Department,Delhi,India)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： RTEICT ページ： 1653-1656 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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