文献
J-GLOBAL ID:202002285052369533
整理番号:20A0265079
Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnO_3-δ/Pt ReRAMセルにおけるフィラメント型および界面型スイッチングを示すユニークな抵抗スイッチング現象【JST・京大機械翻訳】
Unique resistive switching phenomena exhibiting both filament-type and interface-type switching in Ti/Pr0.7Ca0.3MnO3-δ/Pt ReRAM cells
著者 (3件):
Kanegami Naoki
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan)
,
Nishi Yusuke
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan)
,
Kimoto Tsunenobu
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
116
号:
1
ページ:
013501-013501-4
発行年:
2020年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)