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J-GLOBAL ID:202002285443080158   整理番号:20A0390310

新しいケイ素1,1,3,3-テトラメチルグアニジナート誘導体の合成,キャラクタリゼーションおよび熱的性質と単一源化学蒸着前駆体としての使用【JST・京大機械翻訳】

Synthesis, characterization, and thermal properties of novel silicon 1,1,3,3-tetramethylguanidinate derivatives and use as single-source chemical vapor deposition precursors
著者 (7件):
Ma Xiao
(School of Chemical and Material Engineering, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu Province, China)
Xu Chongying
(School of Chemical and Material Engineering, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu Province, China)
Mao Zhibiao
(Jiangsu Nata Opto-Electronic Material Co. Ltd., 7F One Lakepoint, No. 9 Cuiwei Street, Suzhou Industrial Park, Jiangsu Province, China)
Ji Peiyu
(School of Physical Science and Technology, Soochow University, Suzhou, Jiangsu Province, China)
Jin Chenggang
(School of Physical Science and Technology, Soochow University, Suzhou, Jiangsu Province, China)
Xu Dongsheng
(Jiangsu Nata Opto-Electronic Material Co. Ltd., 7F One Lakepoint, No. 9 Cuiwei Street, Suzhou Industrial Park, Jiangsu Province, China)
Ding Yuqiang
(School of Chemical and Material Engineering, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu Province, China)

資料名:
Applied Organometallic Chemistry  (Applied Organometallic Chemistry)

巻: 34  号:ページ: e5349  発行年: 2020年 
JST資料番号: T0416A  ISSN: 0268-2605  CODEN: AOCHEX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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