文献
J-GLOBAL ID:202002286131562959
整理番号:20A2241506
PdErSiソースとドレインを有するゲートファーストSchottky障壁pMOSFETの低温作製【JST・京大機械翻訳】
The low temperature fabrication of gate-first Schottky barrier pMOSFET with PdErSi source and drain
著者 (4件):
MAILIG R. M. D.
(Tokyo Inst. of Technol.)
,
ARUGA Y.
(Tokyo Inst. of Technol.)
,
KIM M. G.
(Tokyo Inst. of Technol.)
,
OHMI S.
(Tokyo Inst. of Technol.)
資料名:
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻:
67th
ページ:
ROMBUNNO.14p-A305-2
発行年:
2020年02月28日
JST資料番号:
Y0054B
ISSN:
2436-7613
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)