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文献
J-GLOBAL ID：202002286211625935
整理番号：20A1060074
二重金属無接合蓄積ナノチューブFET(DM-JAM-TFET)におけるゲート誘起ドレイン漏れと線形性評価の物理ベース解析モデリングとシミュレーション【JST・京大機械翻訳】
Physics-based analytic modeling and simulation of gate-induced drain leakage and linearity assessment in dual-metal junctionless accumulation nano-tube FET (DM-JAM-TFET)
Goel Anubha
(Department of Electronics and Communication Engineering, Maharaja Agrasen Institute of Technology, New Delhi, India)
,
Rewari Sonam
(Department of Electronics and Communication Engineering, Maharaja Agrasen Institute of Technology, New Delhi, India)
,
Verma Seema
(Department of Electronics and Communication, Banasthali University, Niwai, Banasthali, Rajasthan, India)
,
Gupta R. S.
(Department of Electronics and Communication Engineering, Maharaja Agrasen Institute of Technology, New Delhi, India)
資料名：
Applied Physics. A. Materials Science & Processing
(Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 126 号： 5 ページ： 346 発行年： 2020年
JST資料番号： D0256C ISSN： 0947-8396 CODEN： APHYCC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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