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文献
J-GLOBAL ID：202002286325059798
整理番号：20A1952727
エピタキシャル成長させたRuシリサイド薄膜に及ぼす高温アニーリングの効果【JST・京大機械翻訳】
Effect of High-Temperature Annealing on Epitaxially Grown Ru Silicide Thin Films
Fouda A. N.
(Physics Department, Faculty of Science and Arts, King Abdul Aziz University, Rabigh, Saudi Arabia)
,
Fouda A. N.
(Physics Department, Faculty of Science, Suez Canal University, Ismailia, Egypt)
,
Eid E. A.
(Department of Basic Science, Higher Technological Institute, 10th of Ramadan City, Egypt)
資料名：
Silicon
(Silicon)
巻： 12 号： 10 ページ： 2387-2393 発行年： 2020年
JST資料番号： W4947A ISSN： 1876-9918 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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