文献
J-GLOBAL ID:202002286673155089
整理番号:20A0006430
急峻なソース不純物プロファイルを持つヘテロ接合垂直トンネル電界効果トランジスタとしてのp-GaAs_0.51Sb_0.49/In_0.53Ga_0.47Asの性能向上【JST・京大機械翻訳】
Performance enhancement of p-GaAs0.51Sb0.49/In0.53Ga0.47As hetero-junction vertical tunneling field-effect transistors with abrupt source impurity profile
著者 (6件):
Gotow Takahiro
(The University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo, 113-8656, Japan)
,
Mitsuhara Manabu
(NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan)
,
Hoshi Takuya
(NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan)
,
Sugiyama Hiroki
(NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan)
,
Takenaka Mitsuru
(The University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo, 113-8656, Japan)
,
Takagi Shinichi
(The University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo, 113-8656, Japan)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
126
号:
21
ページ:
214502-214502-6
発行年:
2019年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)