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文献
J-GLOBAL ID：202002286807979024
整理番号：20A0572802
非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタ記憶デバイスのための優れた原子層堆積技術【JST・京大機械翻訳】
Superior Atomic Layer Deposition Technology for Amorphous Oxide Semiconductor Thin-Film Transistor Memory Devices
Ding Shi-Jin
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, People’s Republic of China)
,
Wu Xiaohan
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, People’s Republic of China)
資料名：
Chemistry of Materials
(Chemistry of Materials)
巻： 32 号： 4 ページ： 1343-1357 発行年： 2020年
JST資料番号： T0893A ISSN： 0897-4756 CODEN： CMATEX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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