文献
J-GLOBAL ID:202002286999161250
整理番号:20A0830131
DC Stresの下での劣化した特殊層状シリコーン誘電体の絶縁破壊強度に関する研究【JST・京大機械翻訳】
Investigation on the Breakdown Strength of Aged Special Layered Silicone Dielectrics under DC Stres
著者 (2件):
Aganbegovic Mirnes
(Leibniz Universitaet Hannover,Institute of Electric Power Systems (IfES), Division of High Voltage Engineering and Asset Management, Schering-Institute,Hannover,Germany,30167)
,
Werle Peter
(Leibniz Universitaet Hannover,Institute of Electric Power Systems (IfES), Division of High Voltage Engineering and Asset Management, Schering-Institute,Hannover,Germany,30167)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
CEIDP
ページ:
706-709
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)