文献
J-GLOBAL ID:202002287085482632
整理番号:20A0835569
VDMOSにおけるPピラーとトレンチ技術の研究【JST・京大機械翻訳】
The Study of P-pillar and Trench Technology in VDMOS
著者 (3件):
Zhou Xi
(Institute of Microelectronics, Southwest Jiaotong University,Chengdu,China,610031)
,
Feng Quanyuan
(Institute of Microelectronics, Southwest Jiaotong University,Chengdu,China,610031)
,
Chen Xiaopei
(Institute of Microelectronics, Southwest Jiaotong University,Chengdu,China,610031)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
PIERS-Spring
ページ:
1552-1556
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)