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文献
J-GLOBAL ID：202002287150454379
整理番号：20A1236132
バンドギャップエネルギー以上及びサブバンドギャップエネルギー励起により解析した自立n-GaN層における深い準位に関連した電荷移動過程
Charge transfer processes related to deep levels in free standing n-GaN layer analyzed by above and sub-bandgap energy excitation
Uehara Daisuke
(Graduate School of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University, 1-33 Yayoicho, Inage-ku, Chiba, 263-8522, Japan)
,
Kikuchi Moe
(Graduate School of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University, 1-33 Yayoicho, Inage-ku, Chiba, 263-8522, Japan)
,
Ma Bei
(Graduate School of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University, 1-33 Yayoicho, Inage-ku, Chiba, 263-8522, Japan)
,
Miyake Hideto
(Graduate School of Regional Innovation Studies, Mie University, 1577 Kurimamachiya, Tsu, 514-8507, Japan)
,
Ishitani Yoshihiro
(Graduate School of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University, 1-33 Yayoicho, Inage-ku, Chiba, 263-8522, Japan)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 13 号： 6 ページ： 061003 (5pp) 発行年： 2020年06月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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