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J-GLOBAL ID:202002287167909196   整理番号:20A0524458

還元焼結-再酸化法により調製した[数式:原文を参照]ドープ[数式:原文を参照]ベースのチップ型セラミックにおけるPTCR特性の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of PTCR characteristics in [Formula : see text]-doped [Formula : see text]-based chip-type ceramics prepared by reduction sintering-reoxidation method
著者 (5件):
Cheng Xuxin
(School of Electronic and Electrical Engineering, Zhaoqing University, Zhaoqing 526061, P. R. China)
Chen Xiaoming
(School of Electronic and Electrical Engineering, Zhaoqing University, Zhaoqing 526061, P. R. China)
Cui Haining
(School of Electronic and Electrical Engineering, Zhaoqing University, Zhaoqing 526061, P. R. China)
Wang Yuxin
(School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University of Science and Technology, Zhenjiang 212003, P. R. China)
Xiong Chao
(School of Photoelectric Engineering, Changzhou Institute of Technology, Changzhou 213001, P. R. China)

資料名:
International Journal of Modern Physics B. Condensed Matter Physics, Statiscal Physics, Applied Physics  (International Journal of Modern Physics B. Condensed Matter Physics, Statiscal Physics, Applied Physics)

巻: 34  号: 1-3  ページ: 2040047  発行年: 2020年 
JST資料番号: T0396A  ISSN: 0217-9792  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: シンガポール (SGP)  言語: 英語 (EN)
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