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文献
J-GLOBAL ID：202002287614868866
整理番号：20A2212823
クランプビットラインセンス増幅器をダミーセル平均読取方式と互換性を持たせた高密度次世代メモリのアレイ設計
Array Design of High-Density Emerging Memories Making Clamped Bit-Line Sense Amplifier Compatible with Dummy Cell Average Read Scheme
ZHANG Ziyue
(Graduate School of Information, Production and Systems, Waseda University)
,
OHSAWA Takashi
(Graduate School of Information, Production and Systems, Waseda University)
資料名：
IEICE Transactions on Electronics (Web)
(IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E103.C 号： 8 ページ： 372-380(J-STAGE) 発行年： 2020年
JST資料番号： U0468A ISSN： 1745-1353 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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