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文献
J-GLOBAL ID：202002287923853297
整理番号：20A1132649
低温成長からの高効率超薄Cu(In,Ga)Se_2太陽電池のための酸化モリブデン/Cu(In,Ga)Se_2界面におけるエネルギーバンド整列【JST・京大機械翻訳】
Energy Band Alignment in Molybdenum Oxide/Cu(In,Ga)Se2 Interface for High-Efficiency Ultrathin Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells from Low-Temperature Growth
He Zhichao
(Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin Film Devices and Technology, Nankai University, P.R. China)
,
Liu Yang
(Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin Film Devices and Technology, Nankai University, P.R. China)
,
Lin Shuping
(Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin Film Devices and Technology, Nankai University, P.R. China)
,
Shi Sihan
(Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin Film Devices and Technology, Nankai University, P.R. China)
,
Sun ShuLong
(Guang Dong Hanergy Thin-film Solar Co., Ltd., P.R.China)
,
Pang Jinbo
(Collaborative Innovation Center of Technology and Equipment for Biological Diagnosis and Therapy in Universities of Shandong, Institute for Advanced Interdisciplinary Research (iAIR), University of Jinan, Shandong, China)
,
Zhou Zhiqiang
(Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin Film Devices and Technology, Nankai University, P.R. China)
,
Sun Yun
(Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin Film Devices and Technology, Nankai University, P.R. China)
,
Liu Wei
(Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin Film Devices and Technology, Nankai University, P.R. China)
資料名：
ACS Applied Energy Materials
(ACS Applied Energy Materials)
巻： 3 号： 4 ページ： 3408-3414 発行年： 2020年
JST資料番号： W5032A ISSN： 2574-0962 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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