文献
J-GLOBAL ID:202002288541087105
整理番号:20A2798979
優れた電界エミッタとしての3D花様GaNナノ構造における形態の役割【JST・京大機械翻訳】
Morphology role in 3D flower like GaN nanostructures as excellent field emitters
著者 (2件):
Nabi Ghulam
(Nanotechnology Lab, Department of Physics, University of Gujrat, Gujrat 50700, Pakistan)
,
Nabi Ghulam
(Research Centre of Materials Science, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, PR China)
資料名:
Materials Today Communications
(Materials Today Communications)
巻:
25
ページ:
Null
発行年:
2020年
JST資料番号:
W3060A
ISSN:
2352-4928
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)