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文献
J-GLOBAL ID：202002288559849642
整理番号：20A1002907
静電ドーピングを用いたシリコンオンインシュレータ中に構築した低暗電流のフォトダイオード【JST・京大機械翻訳】
Photodiode with low dark current built in silicon-on-insulator using electrostatic doping
Liu J.
(State Key Lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai, China)
,
Zhu K.-M.
(State Key Lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai, China)
,
Zaslavsky A.
(Department of Physics and School of Engineering, Brown University, Providence, RI 02912, USA)
,
Cristoloveanu S.
(IMEP-LAHC, INP-Grenoble/Minatec, CS 50257, Grenoble 38016, France)
,
Arsalan M.
(State Key Lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai, China)
,
Wan J.
(State Key Lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai, China)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 168 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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