文献
J-GLOBAL ID:202002288693586566
整理番号:20A2017577
ナノスケールZnO/IGOヘテロ接合による電界効果トランジスタにおける原子層堆積プロセス可能キャリア移動度ブースティング【JST・京大機械翻訳】
Atomic Layer Deposition Process-Enabled Carrier Mobility Boosting in Field-Effect Transistors through a Nanoscale ZnO/IGO Heterojunction
著者 (7件):
Seul Hyeon Joo
(Department of Electronic Engineering, Hanyang University, South Korea)
,
Kim Min Jae
(Department of Electronic Engineering, Hanyang University, South Korea)
,
Yang Hyun Ji
(Department of Electronic Engineering, Hanyang University, South Korea)
,
Cho Min Hoe
(Department of Electronic Engineering, Hanyang University, South Korea)
,
Cho Min Hee
(Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Company, Gyeonggi-do, Korea)
,
Song Woo-Bin
(Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Company, Gyeonggi-do, Korea)
,
Jeong Jae Kyeong
(Department of Electronic Engineering, Hanyang University, South Korea)
資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻:
12
号:
30
ページ:
33887-33898
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2329A
ISSN:
1944-8244
CODEN:
AAMICK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)