前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：202002289109994371
整理番号：20A0215788
EモードGaN MIS-FETにおける正孔誘起劣化:基板終端の影響【JST・京大機械翻訳】
Hole-Induced Degradation in ${E}$ -Mode GaN MIS-FETs: Impact of Substrate Terminations
Hua Mengyuan
(Department of Electrical and Electronic Engineering, The Southern University of Science and Technology, Shenzhen, China)
,
Yang Song
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong)
,
Wei Jin
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong)
,
Zheng Zheyang
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong)
,
He Jiabei
(Department of Electrical and Electronic Engineering, The Southern University of Science and Technology, Shenzhen, China)
,
Chen Kevin J.
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67 号： 1 ページ： 217-223 発行年： 2020年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。