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文献
J-GLOBAL ID：202002289402332262
整理番号：20A2088165
TOPO-CdSe/ZnS量子ドットの層により不動態化したハイブリッド構造InP/InAsP/InPナノワイヤのルミネセンス光力学【JST・京大機械翻訳】
Luminescence Photodynamics of Hybrid-Structured InP/InAsP/InP Nanowires Passivated by a Layer of TOPO-CdSe/ZnS Quantum Dots
Khrebtov A. I.
(Alferov University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia)
,
Kulagina A. S.
(Alferov University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia)
,
Danilov V. V.
(St. Petersburg State Transport University, St. Petersburg, Russia)
,
Gromova E. S.
(St. Petersburg State Transport University, St. Petersburg, Russia)
,
Skurlov I. D.
(ITMO University, St. Petersburg, Russia)
,
Litvin A. P.
(ITMO University, St. Petersburg, Russia)
,
Reznik R. R.
(ITMO University, St. Petersburg, Russia)
,
Shtrom I. V.
(Alferov University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia)
,
Shtrom I. V.
(Institute for Analytical Instrumentation, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia)
,
Cirlin G. E.
(Alferov University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia)
,
Cirlin G. E.
(ITMO University, St. Petersburg, Russia)
,
Cirlin G. E.
(Institute for Analytical Instrumentation, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 54 号： 9 ページ： 1141-1146 発行年： 2020年
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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